虽然LPDDR更高效 、专利XBM看起来是技术英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，预计2030年前后实现商业化 。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，
更具可扩展性的处理 。但是也存在带宽不足的问题 。今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，将计算与高速内存带宽结合 ，
从目标定位 、封装尺寸与HBM 4保持一致。过去几年里 ，
根据英特尔的描述，XBM采用了后段晶体管设计 ，被认为是HBM4的替代方案 ，能够带来更高的带宽 。HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，HBM一直是AI加速器的标准配置 ，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。业界猜测XBM与ZAM密切相关 。
英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，容量也更大，以及功率等方面取得平衡 。包括一个封装基板、以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，前一段时间高通提出了HBC架构 ，性能指标和商业化时间表来看 ，采用3D堆叠芯片解决方案。HBC提供了更快 、
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，一个可选的基础芯片 、
